图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

SBCP56T1G 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT SS GP XSTR NPN 80V

内部编号

277-SBCP56T1G

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:3990
1+¥4.1026
10+¥3.0701
100+¥1.9351
1000+¥1.4496
2000+¥1.2376
10000+¥1.1419
25000+¥1.0872
50000+¥1.0393
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:8000
1+¥4.1212
10+¥3.5274
100+¥2.6333
500+¥2.0692
最小起订量:1
美国费城
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#3

数量:360
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

SBCP56T1G产品详细规格

规格书 SBCP56T1G datasheet 规格书
BCP/SBCP56 Series
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,000
集电极最大直流电流 1
安装 Surface Mount
Maximum Transition Frequency 130(Typ)
包装宽度 3.5
PCB 3
筛选等级 Automotive
最大功率耗散 1500
类型 NPN
欧盟RoHS指令 Compliant
引脚数 4
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 100
最低工作温度 -65
供应商封装形式 SOT-223
标准包装名称 SOT-223
最高工作温度 150
包装长度 6.5
最大集电极发射极电压 80
最小直流电流增益 25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V
包装高度 1.57
最大基地发射极电压 5
封装 Tape and Reel
标签 Tab
铅形状 Gull-wing
系列 *
标准包装 1,000
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
增益带宽产品fT 130 MHz
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
最大功率耗散 1500 mW
直流集电极/增益hfe最小值 25 at 5 mA at 2 V, 40 at 150 mA at 2 V, 25 at 500 mA at 2 V
直流电流增益hFE最大值 25 at 5 mA at 2 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO 80 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO 100 V
最低工作温度 - 65 C
封装/外壳 SOT-223
集电极最大直流电流 1 A
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
工厂包装数量 1000
宽度 3.5 mm
长度 6.5 mm
RoHS RoHS Compliant
身高 1.57 mm
Pd - Power Dissipation 1500 mW
品牌 ON Semiconductor

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